Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/15492
Nhan đề: Ảnh hưởng của liên kết Spin quỹ đạo lên tính chất điện tử của MₒS₂ đơn lớp
Tác giả: Nguyễn, Văn Hiếu
Nguyễn, Văn Chương
Lê, Thị Thu Phương
Lê, Công Nhân
Nguyễn, Ngọc Hiếu
Từ khoá: MₒS₂ đơn lớp
Tính chất điện tử
Lý thuyết phiếm hàm mật độ
Năm xuất bản: 2018
Tùng thư/Số báo cáo: Tạp chí Khoa học;Số 30 .- Tr.08-12
Tóm tắt: Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu ảnh hưởng của liên kết Spin quỹ đạo lên tính chất điện tử của MₒS₂ đơn lớp được đặt trong điện trường bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ. Các tính toán của chúng tôi đã chỉ ra rằng, có sự tách các vùng con ở lân cặn mức Fermi trong cấu trúc vùng năng lượng điện tử của MₒS₂ đơn lớp khi xét đến liên kết quỹ đạo Spin. Bên cạnh đó, chúng tôi nhận thấy rằng đã xảy ra sự chuyển pha bán dẫn - kim loại trong MₒS₂ đơn lớp khi điện trường ngoài bằng 1,0 V/Â.
Định danh: http://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/15492
ISSN: 1859-4603
Bộ sưu tập: Khoa học Trường ĐH Sư phạm - Đại học Đà Nẵng

Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin Mô tả Kích thước Định dạng  
_file_2.21 MBAdobe PDFXem
Your IP: 18.118.200.197


Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.