Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/71194
Toàn bộ biểu ghi siêu dữ liệu
Trường DCGiá trị Ngôn ngữ
dc.contributor.authorNgô, Ngọc Hưng-
dc.contributor.authorĐặng, Hữu Phúc-
dc.contributor.authorNguyễn, Thị Mỹ Hạnh-
dc.contributor.authorLê, Trấn-
dc.contributor.authorTrần, Bích Thủy-
dc.date.accessioned2021-12-23T01:49:13Z-
dc.date.available2021-12-23T01:49:13Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.issn2525-2267-
dc.identifier.urihttps://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/71194-
dc.description.abstractCông trình này tập trung nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện trong suốt SnO₂ pha tạp Ta (TTO) đƣợc lắng đọng ở các nhiệt độ đế khác nhau. Màng TTO đƣợc lắng đọng trên đế thạch anh bằng phương pháp phún xạ magnetron DC. Cấu trúc tinh thể và tính chất quang và điện của màng được khảo sát bằng giản đồ nhiễu xạ tia X, phổ truyền qua Uv-Vis và phép đo Hall. Kết quả cho thấy, màng có cấu trúc tứ giác rutile của SnO₂ đa tinh thể với mặt ưu tiên SnO₂ (101).vi_VN
dc.language.isovivi_VN
dc.relation.ispartofseriesTạp chí Khoa học và Công nghệ Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh;Số 43B - Tr.12-18-
dc.subjectMàng loại n SnO₂vi_VN
dc.subjectTavi_VN
dc.subjectPhún xạvi_VN
dc.subjectMagnetron DCvi_VN
dc.subjectX-rayvi_VN
dc.subjectHallvi_VN
dc.subjectI-Vvi_VN
dc.titleNghiên cứu chế tạo màng dẫn điện trong suốt loại n SnO₂ pha tạp Ta trên đế thạch anh bằng phương pháp phún xạ Magnetron DCvi_VN
dc.typeArticlevi_VN
Bộ sưu tập: Khoa học và Công nghệ Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh

Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin Mô tả Kích thước Định dạng  
_file_
  Giới hạn truy cập
1.96 MBAdobe PDF
Your IP: 3.144.12.249


Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.