Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/101860Toàn bộ biểu ghi siêu dữ liệu
| Trường DC | Giá trị | Ngôn ngữ |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | Trần, Thanh Hải | - |
| dc.contributor.author | Lê, Thị Mỹ Duyên | - |
| dc.date.accessioned | 2024-06-05T09:36:02Z | - |
| dc.date.available | 2024-06-05T09:36:02Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.other | B2007597 | - |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/101860 | - |
| dc.description | 81 tr. | vi_VN |
| dc.description.abstract | Đề tài “Nghiên cứu sự phân bố điện từ trường trong plasma bằng phần mềm mô phỏng CST” sẽ trình bày một cách tổng quát về cơ sở lý thuyết của plasma, điều kiện tồn tại plasma, phân loại và ứng dụng của plasma áp suất thấp sử dụng nguồn ICP trong nhiều lĩnh vực. Từ sự quan trọng mà plasma áp suất thấp mang lại và tìm ra tính vượt trội hơn cho nguồn ICP nên tôi đã tính toán và sử dụng phần mềm mô phỏng CST để vẽ, đồng thời thay đổi lần lượt các giá trị của áp suất và mật độ hạt để khảo sát sự phân bố điện từ trường trong plasma, từ đó so sánh được mô hình nguồn ICP angten nhiều vòng do tôi khảo sát có sự phân bố điện từ trường trong một vùng nhất định sẽ đều và ít sự chênh lệch hơn angten một vòng đã được khảo sát trước đó. Kết quả cho thấy được khi sử dụng nguồn ICP angten nhiều vòng để phủ lên bề mặt vật liệu sẽ mang lại hiệu quả cao hơn so với mô hình angten một vòng. | vi_VN |
| dc.language.iso | vi | vi_VN |
| dc.publisher | Trường Đại học Cần Thơ | vi_VN |
| dc.subject | Sư phạm Vật lý | vi_VN |
| dc.title | Nghiên cứu sự phân bố điện từ trường trong plasma áp suất thấp bằng phần mềm mô phỏng CST | vi_VN |
| dc.type | Thesis | vi_VN |
| Bộ sưu tập: | Khoa Sư phạm | |
Các tập tin trong tài liệu này:
| Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | |
|---|---|---|---|---|
| _file_ Giới hạn truy cập | 4.8 MB | Adobe PDF | ||
| Your IP: 216.73.216.63 |
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.