Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10737
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorNgô, Xuân Cường-
dc.contributor.authorNguyễn, Tuấn Anh-
dc.contributor.authorNguyễn, Hà Tuấn-
dc.contributor.authorLê, Thu Quý-
dc.date.accessioned2019-08-05T02:35:35Z-
dc.date.available2019-08-05T02:35:35Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.issn0866-7056-
dc.identifier.urihttp://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10737-
dc.description.abstractBài báo giới thiệu lớp phủ tổ hợp SiC - PTFE được chế tạo bằng phương pháp phun phủ nhiệt plasma kết hợp thẩm thấu, để kéo dài tuổi thọ nâng cao hiệu quả chống mòn của các chi tiết máy làm việc trong môi trường hóa chất khắc nghiệt. Các nội dung nghiên cứu về lớp phủ SiC -PTFE bao gồm: (i) Phân tích lựa chọn vật liệu; (ii) Phương pháp và điều kiện công nghệ được áp dụng để chế tạo lớp phủ; (iii) Thử nghiệm thực tế tại cơ sở sản xuất. Các kết quả kiểm tra về lớp phủ như độ bám dính, độ cứng, khả năng chống ăn mòn của lớp phủ... được tiến hành để đánh giá chất lượng lớp phủ trong việc bảo vệ chống mòn cho các chi tiết máy làm việc trong môi trường hóa chất. Sau khi nghiên cứu trong phòng thí nghiệm, nhóm nghiên cứu đã tiến hành thử nghiệm lớp phủ tổ hợp này trong lòng bơm dung dịch bùn apatít tại Công ty Cổ phần Supe Phốt phát và Hóa chất Lâm Thao. Các kết quả nghiên cứu thu được cho thấy triển vọng ứng dụng của lớp phủ tổ hợp này để bảo vệ chống ăn mòn các chi tiết máy làm việc trong môi trường hóa chất khắc nghiệt.vi_VN
dc.language.isovivi_VN
dc.relation.ispartofseriesTạp chí Cơ khí Việt Nam;Số 03 .- Tr.105-111-
dc.subjectLớp phủ tổ hợpvi_VN
dc.subjectLớp phủ plasmavi_VN
dc.subjectChống mònvi_VN
dc.subjectSiCvi_VN
dc.subjectPTFEvi_VN
dc.titleLớp phủ Plasma SiC thẩm thấu PTFE cho buồng bơm chịu hóa chấtvi_VN
dc.typeArticlevi_VN
Appears in Collections:Cơ khí Việt Nam

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
_file_
  Restricted Access
3.52 MBAdobe PDF
Your IP: 3.17.175.191


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.