Khả năng hấp phụ CO2 của P-SiC2¬-SS

Abstract

Nghiên cứu “Khả năng hấp phụ CO2 của P-SiC2-SS ” được thực hiện nhằm tìm ra vật liệu có khả năng hấp thụ phân tử khí CO2 tốt nhất để làm linh kiện chế tạo các cảm biến khí . Đề tài Ta dựa theo thuyết DFT phát triển lên phương trình Kohn-Sham hệ đơn hạt để bằng phương pháp DFT để thực hiện mô phỏng đối với mẫu pentagonal silicon dicabride (p – SiC2-SS) sau đó tính toán các thông số , cấu trúc điện tử thông qua Quantum Espresso. Mục tiêu cung cấp thông tin về phương pháp tính toán gần đúng DFT cùng với chương trình chạy mẫu Quantum Espresso để mô phỏng sự hấp phụ CO2 và P-SiC2¬-SS. Từ đây vẽ đồ thị phân tích số liệu về khoảng góc và khoảng cách giữa các phân tử để phân tích khả năng hấp phụ CO2 của P-SiC2-SS khi đó có thể xác định vật liệu này có thể phụ khí CO2 ở một số điều kiện xác định.