Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/127506
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorTS. Đỗ, Thị Phương Thảo-
dc.contributor.authorĐào, Huỳnh Trân-
dc.date.accessioned2026-05-20T02:17:15Z-
dc.date.available2026-05-20T02:17:15Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationNghiên cứu về cơ sở lý thuyết của vật liệu Silicene, sai hỏng 2 nguyên tử trong chất rắn và phương pháp gần đúng liên kết mạnh (tight binding approximation). Xây dựng mô hình Hamiltonian bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh (tight binding approximation) để xác định cấu trúc vùng năng lượng của tấm zigzag buckling silicene nanoribbons hoàn hảo và sau khi tái cấu trúc. Nghiên cứu ảnh hưởng của sự tái cấu trúc lên cấu trúc vùng năng lượng của zigzag buckling silicene nanoribbons. Nghiên cứu ảnh hưởng của điện trường ngoài lên trúc lên cấu trúc vùng năng lượng của zigzag buckling silicene nanoribbons hoàn hảo và sau khi tái cấu trúc.vi_VN
dc.identifier.urihttps://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/127506-
dc.description.abstractNgày nay các lĩnh vực về công nghệ thông tin, khoa học kỹ thuật - linh kiện điện điện tử được phát triển mạnh mẽ đã góp phần làm thay đổi và nâng cao chất lượng cuộc sống ngày càng hiện đại hơn. Trong đó việc nghiên cứu và tìm ra các vật liệu hai chiều đã đóng góp một vai trò to lớn cho sự phát triển nói trên. Đối tượng nghiên cứu này đã thu hút rất nhiều nhà khoa học với thành tựu đầu tiên là sự ra đời của vật liệu Graphene hai chiều có các đặc điểm vượt trội và mới mẽ. Tuy nhiên Graphene lại tồn tại một hạn chế đó là khe cấm trong cấu trúc vùng năng lượng có độ rộng bằng không dẫn đến việc Graphene không thể thể hiện cả hai trạng thái on/off trong các linh kiện điện tử. Khiến cho ứng dụng của Graphene cũng bị hạn chế trong các trong lĩnh vực công nghiệp bán dẫn [1] [2]. Từ đó nhu cầu tìm ra một loại vật liệu hai chiều mới vừa thừa kế được cả các ưu điểm vừa khắc phục được hạn chế của Graphene để có thể ứng dụng hiệu quả trong công nghiệp bán dẫn. Sau đó các vật liệu hai chiều tương tự như Graphene lần lược được phát hiện và đưa vào nghiên cứu. Silicon là loại vật liệu quan trọng và được sử dụng rất phổ biến trong nghiệp bán dẫn. Việc nghiên cứu và chế tạo thành công Silicon ở dạng hai chiều (được đặt tên là Silicene) đã mở ra một cánh cữa mới cho sự phát triển mạnh mẽ hơn của nghành công nghiệp bán dẫn và linh kiện điện tử. Silicene thừa hưởng được toàn bộ các ưu điểm của silicon dạng khối nên có thể dễ dàng ứng dụng vào việc chế tạo các linh kiện điện tử với nhiều ưu thế vượt trội hơn so với linh kiện điện tử bình thường. Ngoài ra silicene còn tồn tại một dạng cấu trúc đặc biệt với sự nhấp nhô trong cấu trúc vòng sáu tạo nên sự khác biệt lớn với graphene, điều này dẫn đến nhiều tính chất thú vị của silicene với tiềm năng ứng dụng vào các ngành công nghệ. Các nhà nghiên cứu trên thế giới đã và đang tìm ra được nhiều đặc tính ưu việt của silicene về tính chất vật lý, hóa học và điều chỉnh vật liệu này phù hợp cho các nhu cầu sử dụng khác nhau [3]. Các nghiên cứu về silicene sẽ thúc đẩy sự phát triển ngày càng mạnh mẽ của khoa học kỹ thuật nói chung và công nghệ bán dẫn nói riêng. Điểm qua những vấn đề còn đang tồn động chưa được nghiên cứu liên quan đến vật liệu hai chiều silicene và cũng như tính hấp dẫn của vật liệu, tôi đã quyết định chọn đề tài “Nghiên cứu ảnh hưởng của sự tái cấu trúc lên cấu trúc vùng năng lượng của zigzag buckling silicene nanoribbons” để thực hiện.vi_VN
dc.description.tableofcontentsMỤC LỤC � �✵🙜 DANH MỤC HÌNH ẢNH ix DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU/ TỪ VÀ CỤM TỪ VIẾT TẮT/ THUẬT NGỮ QUAN TRỌNG ĐƯỢC SỬ DỤNG TRONG ĐỀ TÀI xi PHẦN MỞ ĐẦU 1. LÝ DO CHỌN ĐỀ TÀI 2. MỤC TIÊU NGHIÊN CỨU 3. ĐỐI TƯỢNG VÀ PHẠM VI NGHIÊN CỨU 4. PHƯƠNG PHÁP VÀ PHƯƠNG TIỆN NGHIÊN CỨU PHẦN NỘI DUNG CHƯƠNG 1: CƠ SỞ LÝ THUYẾT 1.1. Tổng quan về Silicene 1.1.1. Silicene 1.1.2. Các dạng cấu trúc cơ bản của silicene 1.2. Bài toán cấu trúc vùng năng lượng của vật rắn 1.2.1. Sự hình thành cấu trúc vùng năng lượng 1.2.2. Phương trình Schrodinger cho tinh thể 1.3. Phương pháp gần đúng liên kết mạnh 1.3.1. Ý tưởng của phương pháp 1.3.2. Nội dung phương pháp 1.4. Các dạng sai hỏng thường gặp 1 1 1 2 2 3 3 3 3 4 7 7 9 10 10 10 15 CHƯƠNG 2: MÔ HÌNH HAMILTONIAN VÀ CẤU TRÚC VÙNG NĂNG LƯỢNG CỦA ZIGZAG BUCKLING SILICENE NANORIBBONS DỰA TRÊN PHƯƠNG PHÁP GẦN ĐÚNG LIÊN KẾT MẠNH 17 2.1. Mô hình Hamiltonian của zigzag buckling silicene nanoribbons dựa trên phương pháp gần đúng liên kết mạnh 17 2.1.1. Tính Hamiltonian tương tác giữa các nguyên tử trong cell 0 với nhau 2.1.2. Tính Hamiltonian tương tác giữa các nguyên tử trong cell 0 và cell 1 2.1.3. Tính Hamiltonian tương tác giữa các nguyên tử trong cell 0 và cell -1 2.1.4. Ma trận tương tác buckling HB 2.1.5. Tính Hamiltonian toàn phần H 20 24 27 28 29 SVTH: Du Lũy vii MSSV: B1900387 Luận văn tốt nghiệp ngành Sư phạm Vật lý Đại học Cần Thơ 2023. 2.2. Mô hình Hamiltonian của zigzag buckling silicene nanoribbons sau khi sai hỏng dựa trên phương pháp gần đúng liên kết mạnh 2.2.1. Tính Hamiltonian tương tác giữa các nguyên tử trong cell 0 khi sai hỏng 30 31 2.2.2. Tính Hamiltonian tương tác giữa các nguyên tử trong cell 0 và cell 1 sau khi sai hỏng 35 2.2.3. Tính Hamiltonian tương tác giữa các nguyên tử trong cell 0 và cell -1 sau khi sai hỏng 36 2.2.4. Tính ma trận buckling HBk khi sai hỏng 2.2.5. Tính Hamiltonian toàn phần HK 37 37 2.3. Mô hình Hamiltonian của zigzag buckling silicene nanoribbons khi áp điện trường ngoài 38 2.3.1. Mô hình hamiltonian của ZBSiNRs hoàn hảo khi áp điện trường vuông góc 38 2.3.2. Mô hình hamiltonian của ZBSiNRs sau sai hỏng và áp điện trường vuông góc 40 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1. Cấu trúc vùng năng lượng của zigzag buckling silicene nanoribbons hoàn hảo không áp điện trường vuông góc 43 43 3.2. Cấu trúc vùng năng lượng của zigzag buckling silicene nanoribbons hoàn hảo khi áp điện trường vuông góc 45 3.3. Cấu trúc vùng năng lượng của zigzag buckling silicene nanoribbons khi khuyết nguyên tử 5 và 6 3.4. Cấu trúc vùng năng lượng của zigzag buckling silicene nanoribbons khi khuyết nguyên tử 5, 6 và áp điện trường vuông góc 47 49 3.5. Phân tích ảnh hưởng của sự tái cấu trúc lên cấu trúc vùng năng lượng của Zigzag buckling silicene nanoribbons 50 3.5.1. Khi không có tác động của điện trường 3.5.2. Khi có tác động của điện trường vuông góc PHẦN KẾT LUẬN 1. KẾT QUẢ ĐẠT ĐƯỢC TỪ ĐỀ TÀI 2. HƯỚNG PHÁT TRIỂN CỦA ĐỀ TÀI TÀI LIỆU THAM KHẢO 50 52 55 55 55 56vi_VN
dc.language.isovivi_VN
dc.publisherTrường Đại học Cần Thơvi_VN
dc.subjectĐộ rộng vùng cấm , Hàng nguyên tử thứ nhất trong cell, Silicene dạng vênh được cắt theo biên zigzagvi_VN
dc.titleXây dựng kế hoạch dạy học các chủ đề vật lý lớp 11vi_VN
Appears in Collections:Trường Sư phạm

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
_file_
  Restricted Access
4.24 MBAdobe PDF
Your IP: 216.73.216.172


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.