Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/127689| Nhan đề: | Nghiên cứu khả năng hấp phụ khí CO2 của vật liệu hai lớp Si-MOS2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ. |
| Tác giả: | Đặng, Minh Triết Lê, Tiểu Thân |
| Từ khoá: | Sư phạm Vật lý |
| Năm xuất bản: | 2025 |
| Nhà xuất bản: | Trường Đại học Cần Thơ |
| Tóm tắt: | Nghiên cứu mô phỏng cấu trúc dị chất 2D Si-MoS2 bằng DFT và M3GNet để ứng dụng làm cảm biến CO2. Kết quả cho thấy hệ vật liệu này bền vững, dẫn điện tốt và hấp phụ vật lý CO2 hiệu quả. Trong môi trường ẩm, các phân tử H2O tạo rào cản không gian làm suy yếu tương tác của CO2 lên bề mặt, nhưng hoàn toàn không phá hủy tính chất điện tử nền tảng của vật liệu. Tóm lại, Si-MoS2 là vật liệu đầy hứa hẹn cho thế hệ cảm biến CO2 hoạt động ổn định ở nhiệt độ phòng. |
| Định danh: | https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/127689 |
| Bộ sưu tập: | Trường Sư phạm |
Các tập tin trong tài liệu này:
| Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | |
|---|---|---|---|---|
| _file_ Giới hạn truy cập | 3.02 MB | Adobe PDF | ||
| Your IP: 216.73.216.94 |
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.