Trong luận văn này, ta đã xây dựng mô hình Hamiltonian cho vật liệu graphene AA-stacking biên armchair hoàn hảo và có sai hỏng, ảnh hưởng của điện trường ngoài và phổ mật độ trạng thái (DOS). Kết quả luận văn: vật liệu sai hỏng có sự mở rộng vùng cấm (Egap) đáng kể, độ linh động của điện tử nhỏ hơn và độ cao DOS tại vùng dẫn cao. Điện trường vuông góc làm giảm Egap cả vật liệu hoàn hảo và sai hỏng. Mặt khác, điện trường song song làm tăng Egap nhóm 3𝑃 + 2.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/127696

Title:	Trong luận văn này, ta đã xây dựng mô hình Hamiltonian cho vật liệu graphene AA-stacking biên armchair hoàn hảo và có sai hỏng, ảnh hưởng của điện trường ngoài và phổ mật độ trạng thái (DOS). Kết quả luận văn: vật liệu sai hỏng có sự mở rộng vùng cấm (Egap) đáng kể, độ linh động của điện tử nhỏ hơn và độ cao DOS tại vùng dẫn cao. Điện trường vuông góc làm giảm Egap cả vật liệu hoàn hảo và sai hỏng. Mặt khác, điện trường song song làm tăng Egap nhóm 3𝑃 + 2.
Authors:	Vũ, Thanh Trà Nguyễn, Văn Thế
Keywords:	Sư phạm Vật lý
Issue Date:	2025
Publisher:	Trường Đại học Cần Thơ
Abstract:	Trong luận văn này, ta đã xây dựng mô hình Hamiltonian cho vật liệu graphene AA-stacking biên armchair hoàn hảo và có sai hỏng, ảnh hưởng của điện trường ngoài và phổ mật độ trạng thái (DOS). Kết quả luận văn: vật liệu sai hỏng có sự mở rộng vùng cấm (Egap) đáng kể, độ linh động của điện tử nhỏ hơn và độ cao DOS tại vùng dẫn cao. Điện trường vuông góc làm giảm Egap cả vật liệu hoàn hảo và sai hỏng. Mặt khác, điện trường song song làm tăng Egap nhóm 3𝑃 + 2.
URI:	https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/127696
Appears in Collections:	Trường Sư phạm

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
_file_ Restricted Access		10.13 MB	Adobe PDF
Your IP: 216.73.216.94

LRC Digital repo