Trong luận văn này, ta đã xây dựng mô hình Hamiltonian cho vật liệu graphene AA-stacking biên armchair hoàn hảo và có sai hỏng, ảnh hưởng của điện trường ngoài và phổ mật độ trạng thái (DOS). Kết quả luận văn: vật liệu sai hỏng có sự mở rộng vùng cấm (Egap) đáng kể, độ linh động của điện tử nhỏ hơn và độ cao DOS tại vùng dẫn cao. Điện trường vuông góc làm giảm Egap cả vật liệu hoàn hảo và sai hỏng. Mặt khác, điện trường song song làm tăng Egap nhóm 3𝑃 + 2.

Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/127696

Nhan đề:	Trong luận văn này, ta đã xây dựng mô hình Hamiltonian cho vật liệu graphene AA-stacking biên armchair hoàn hảo và có sai hỏng, ảnh hưởng của điện trường ngoài và phổ mật độ trạng thái (DOS). Kết quả luận văn: vật liệu sai hỏng có sự mở rộng vùng cấm (Egap) đáng kể, độ linh động của điện tử nhỏ hơn và độ cao DOS tại vùng dẫn cao. Điện trường vuông góc làm giảm Egap cả vật liệu hoàn hảo và sai hỏng. Mặt khác, điện trường song song làm tăng Egap nhóm 3𝑃 + 2.
Tác giả:	Vũ, Thanh Trà Nguyễn, Văn Thế
Từ khoá:	Sư phạm Vật lý
Năm xuất bản:	2025
Nhà xuất bản:	Trường Đại học Cần Thơ
Tóm tắt:	Trong luận văn này, ta đã xây dựng mô hình Hamiltonian cho vật liệu graphene AA-stacking biên armchair hoàn hảo và có sai hỏng, ảnh hưởng của điện trường ngoài và phổ mật độ trạng thái (DOS). Kết quả luận văn: vật liệu sai hỏng có sự mở rộng vùng cấm (Egap) đáng kể, độ linh động của điện tử nhỏ hơn và độ cao DOS tại vùng dẫn cao. Điện trường vuông góc làm giảm Egap cả vật liệu hoàn hảo và sai hỏng. Mặt khác, điện trường song song làm tăng Egap nhóm 3𝑃 + 2.
Định danh:	https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/127696
Bộ sưu tập:	Trường Sư phạm

Các tập tin trong tài liệu này:

Tập tin	Mô tả	Kích thước	Định dạng
_file_ Giới hạn truy cập		10.13 MB	Adobe PDF
Your IP: 216.73.216.94

Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.

Thư viện số DSPACE