Trong luận văn này, ta đã xây dựng mô hình Hamiltonian cho vật liệu graphene AA-stacking biên armchair hoàn hảo và có sai hỏng, ảnh hưởng của điện trường ngoài và phổ mật độ trạng thái (DOS). Kết quả luận văn: vật liệu sai hỏng có sự mở rộng vùng cấm (Egap) đáng kể, độ linh động của điện tử nhỏ hơn và độ cao DOS tại vùng dẫn cao. Điện trường vuông góc làm giảm Egap cả vật liệu hoàn hảo và sai hỏng. Mặt khác, điện trường song song làm tăng Egap nhóm 3𝑃 + 2.

Abstract

Trong luận văn này, ta đã xây dựng mô hình Hamiltonian cho vật liệu graphene AA-stacking biên armchair hoàn hảo và có sai hỏng, ảnh hưởng của điện trường ngoài và phổ mật độ trạng thái (DOS). Kết quả luận văn: vật liệu sai hỏng có sự mở rộng vùng cấm (Egap) đáng kể, độ linh động của điện tử nhỏ hơn và độ cao DOS tại vùng dẫn cao. Điện trường vuông góc làm giảm Egap cả vật liệu hoàn hảo và sai hỏng. Mặt khác, điện trường song song làm tăng Egap nhóm 3𝑃 + 2.