Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/15492| Nhan đề: | Ảnh hưởng của liên kết Spin quỹ đạo lên tính chất điện tử của MₒS₂ đơn lớp |
| Tác giả: | Nguyễn, Văn Hiếu Nguyễn, Văn Chương Lê, Thị Thu Phương Lê, Công Nhân Nguyễn, Ngọc Hiếu |
| Từ khoá: | MₒS₂ đơn lớp Tính chất điện tử Lý thuyết phiếm hàm mật độ |
| Năm xuất bản: | 2018 |
| Tùng thư/Số báo cáo: | Tạp chí Khoa học;Số 30 .- Tr.08-12 |
| Tóm tắt: | Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu ảnh hưởng của liên kết Spin quỹ đạo lên tính chất điện tử của MₒS₂ đơn lớp được đặt trong điện trường bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ. Các tính toán của chúng tôi đã chỉ ra rằng, có sự tách các vùng con ở lân cặn mức Fermi trong cấu trúc vùng năng lượng điện tử của MₒS₂ đơn lớp khi xét đến liên kết quỹ đạo Spin. Bên cạnh đó, chúng tôi nhận thấy rằng đã xảy ra sự chuyển pha bán dẫn - kim loại trong MₒS₂ đơn lớp khi điện trường ngoài bằng 1,0 V/Â. |
| Định danh: | http://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/15492 |
| ISSN: | 1859-4603 |
| Bộ sưu tập: | Khoa học Trường ĐH Sư phạm - Đại học Đà Nẵng |
Các tập tin trong tài liệu này:
| Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | |
|---|---|---|---|---|
| _file_ | 2.21 MB | Adobe PDF | Xem | |
| Your IP: 216.73.216.143 |
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.