1. CTU LRC Digital Repository
  2. Tạp chí Khoa học
  3. Khoa học Trường ĐH Sư phạm - Đại học Đà Nẵng
Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/15492
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorNguyễn, Văn Hiếu-
dc.contributor.authorNguyễn, Văn Chương-
dc.contributor.authorLê, Thị Thu Phương-
dc.contributor.authorLê, Công Nhân-
dc.contributor.authorNguyễn, Ngọc Hiếu-
dc.date.accessioned2019-10-10T08:23:44Z-
dc.date.available2019-10-10T08:23:44Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.issn1859-4603-
dc.identifier.urihttp://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/15492-
dc.description.abstractTrong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu ảnh hưởng của liên kết Spin quỹ đạo lên tính chất điện tử của MₒS₂ đơn lớp được đặt trong điện trường bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ. Các tính toán của chúng tôi đã chỉ ra rằng, có sự tách các vùng con ở lân cặn mức Fermi trong cấu trúc vùng năng lượng điện tử của MₒS₂ đơn lớp khi xét đến liên kết quỹ đạo Spin. Bên cạnh đó, chúng tôi nhận thấy rằng đã xảy ra sự chuyển pha bán dẫn - kim loại trong MₒS₂ đơn lớp khi điện trường ngoài bằng 1,0 V/Â.vi_VN
dc.language.isovivi_VN
dc.relation.ispartofseriesTạp chí Khoa học;Số 30 .- Tr.08-12-
dc.subjectMₒS₂ đơn lớpvi_VN
dc.subjectTính chất điện tửvi_VN
dc.subjectLý thuyết phiếm hàm mật độvi_VN
dc.titleẢnh hưởng của liên kết Spin quỹ đạo lên tính chất điện tử của MₒS₂ đơn lớpvi_VN
dc.typeArticlevi_VN
Appears in Collections:Khoa học Trường ĐH Sư phạm - Đại học Đà Nẵng

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
_file_2.21 MBAdobe PDFView/Open
Your IP: 3.143.221.185
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.