Nghiên cứu cấu trúc electron của cluster ScSi4-/0 bằng phương pháp đa cấu hình CASSCF/CASPT2 =

Abstract

Các trạng thái electron cơ bản và trạng thái electron kích thích của các cluster ScSi4-/0 được nghiên cứu bằng phiếm hàm B3LYP và phương pháp CASSCF/CASPT2 trạng thái electron cơ bản của cluster ScSi4-/0 là 1A'(1A1) thuộc đồng phân dạng lưỡng tháp tam giác n3-(Si4)Sc-. Trạng thái cơ bản của cluster ScSi4-/0 là 2B1 thuộc đồng phân dạng lưỡng pháp tam giác n4-(Si4)Sc. Các đồng phân dạng phẳng n3-(Si4)Sc- có năng lượng cao hơn các đồng phân dạng lưỡng tháp tam giác n3-(Si4)Sc-. Năng lượng của các quá trình tách electron ra khỏi cluster anion đã được tính toán và so sánh với thực nghiệm. Tất cả dãy phổ trong phổ quang electron được giải thích. Quá trình mô phỏng hệ số Frankc-Condon cho thấy các bước tiến dao động của các bước chuyển 1A'->2A' và 1A'-> 12A'' là phù hợp với hình dạng của dãy đầu tiên trong phổ quang của cluster ScSi4-/0.