Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/2671
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorNguyễn, Minh Thảo-
dc.contributor.authorNguyễn, Hoàng Khang-
dc.contributor.authorTrần, Quốc Trị-
dc.contributor.authorTrần, Văn Tân-
dc.contributor.authorBùi, Thọ Thanh-
dc.date.accessioned2018-07-03T07:28:09Z-
dc.date.available2018-07-03T07:28:09Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.issn1859-4794-
dc.identifier.urihttp://172.18.63.105/jspui/handle/123456789/2671-
dc.description.abstractCác trạng thái electron cơ bản và trạng thái electron kích thích của các cluster ScSi4-/0 được nghiên cứu bằng phiếm hàm B3LYP và phương pháp CASSCF/CASPT2 trạng thái electron cơ bản của cluster ScSi4-/0 là 1A'(1A1) thuộc đồng phân dạng lưỡng tháp tam giác n3-(Si4)Sc-. Trạng thái cơ bản của cluster ScSi4-/0 là 2B1 thuộc đồng phân dạng lưỡng pháp tam giác n4-(Si4)Sc. Các đồng phân dạng phẳng n3-(Si4)Sc- có năng lượng cao hơn các đồng phân dạng lưỡng tháp tam giác n3-(Si4)Sc-. Năng lượng của các quá trình tách electron ra khỏi cluster anion đã được tính toán và so sánh với thực nghiệm. Tất cả dãy phổ trong phổ quang electron được giải thích. Quá trình mô phỏng hệ số Frankc-Condon cho thấy các bước tiến dao động của các bước chuyển 1A'->2A' và 1A'-> 12A'' là phù hợp với hình dạng của dãy đầu tiên trong phổ quang của cluster ScSi4-/0.vi_VN
dc.language.isovivi_VN
dc.relation.ispartofseriesTạp chí Khoa học & Công nghệ Việt Nam;Số 60(1 ) .- Tr.6-13-
dc.subjectB3LYPvi_VN
dc.subjectCASSCF/CASPT2vi_VN
dc.subjectCluster ScSi4-/0vi_VN
dc.subjectCấu trúcvi_VN
dc.titleNghiên cứu cấu trúc electron của cluster ScSi4-/0 bằng phương pháp đa cấu hình CASSCF/CASPT2 =vi_VN
dc.title.alternativeStudy on the structures of ScSir4-/0 clusters by multiconfigurational CASSCF/CASPT2 methodsvi_VN
dc.typeArticlevi_VN
Appears in Collections:Khoa học & Công nghệ Việt Nam

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
_file_5.17 MBAdobe PDFView/Open
Your IP: 18.224.44.233


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.