Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/30706
Title: Ứng dụng phương pháp tán xạ tia X góc nhỏ đánh giá ảnh hưởng thăng giáng mật độ điện tử đến các cấu trúc vi mô của màng dẫn proton trong pin nhiên liệu
Authors: La, Lý Nguyên
Lâm, Hoàng Hảo
Lê, Viết Hải
Nguyễn, Nhật Kim Ngân
Nguyễn, Tiến Cường
Lưu, Anh Tuyên
Phan, Trọng Phúc
Huỳnh, Trúc Phương
Lê, Quang Luân
Nguyễn, Thị Ngọc Huệ
Trần, Duy Tập
Keywords: ETFE-PEM
Pin nhiên liệu
Tán xạ X góc nhỏ
Thăng giáng mật độ điện tử
Issue Date: 2020
Series/Report no.: Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam;Số 62(01) .- Tr.54-58
Abstract: Thăng giáng mật độ điện tử hiện diện khắp nơi trong dữ liệu cường độ tán xạ tia X góc nhỏ (SAXS) nhưng ảnh hưởng rất lớn và nghiêm trọng đối với các cấu trúc được ghi nhận ở vùng vector tán xạ góc lớn, bởi vì đóng góp của thăng giáng mật độ điện tử tại vùng này lớn hơn 90% tổng cường độ tán xạ. Vật liệu màng dẫn proton poly(ethylene-co-tetrafluoroethylene) ghép mạch poly(styrene sulfonic acid) (ETFE-PEM) chứa các cấu trúc vi mô với các kích thước khác nhau, gồm cấu trúc lamellar, cấu trúc vùng chuyển tiếp pha và cấu trúc vùng dẫn proton. Các cấu trúc này có mối quan hệ chặt chẽ với các tính chất của màng như tính dẫn proton, tính hấp thụ nước, độ bền cơ lý, độ bền hóa học, độ bền nhiệt và các tính chất khác nên có liên hệ với hiệu quả hoạt động và hiệu suất của pin nhiên liệu. Trong nghiên cứu này, các tác giả sử dụng mô hình Vonk bậc 6 (Vonk 6) để đánh giá thăng giáng mật độ điện tử ảnh hưởng đến các cấu trúc vừa nêu bằng phương pháp SAXS. Kết quả nghiên cứu cho thấy, thăng giáng mật độ điện tử ảnh hưởng mạnh đến bề dày vùng chuyển tiếp và cấu trúc vùng dẫn ion nhưng không đáng kể đối với cấu trúc lamellar.
URI: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/30706
ISSN: 1859-4794
Appears in Collections:Khoa học & Công nghệ Việt Nam

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
_file_
  Restricted Access
1.01 MBAdobe PDF
Your IP: 3.139.97.97


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.