Chế tạo màng mỏng Baridisilic trên đế Gecmani bang phương pháp bốc bay nhiệt và khảo sát một số tính chất của nó

Abstract

Màng mỏng BaSi₂ được chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt trên đế Ge phảng và điều chỉnh với thời gian điều chỉnh đế Ge khác nhau. Tiếp nối nghiên cứu trước, tính chất kết tinh và thời gian sống của hạt tải không cơ bản ᵣ trong mảng BaSi₂ lần lượt được khảo sát. Kết quả cho thấy chất lượng kết tinh của màng BaSi₂ dần suy giảm về phía bề mặt màng, của màng BaSi₂ trên để điều chỉnh cao hơn so với trên đế phẳng, đạt giá trị 3.17 µs với tₑ = 15 phút. Đây là giá trị cao nhất đạt được khi đó màng mỏng BaSi₂ lắng đọng trên các đế khác nhau (độ dày < 300 nm).