Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/47194
Toàn bộ biểu ghi siêu dữ liệu
Trường DCGiá trị Ngôn ngữ
dc.contributor.authorLê, Xuân Thành-
dc.date.accessioned2021-03-17T08:15:22Z-
dc.date.available2021-03-17T08:15:22Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.issn2525-2224-
dc.identifier.urihttps://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/47194-
dc.description.abstractHiện nay các loại cảm biến khi thể hệ mới trên cơ sở vật liệu có cấu trúc nano với nhiều tính năng ưu việt đang thu hút được các nghiên cứu đặc biệt là các dây nano oxit bán dẫn như SnO₂, ZnO. TiO₂ và IN₂O₃... Trong nghiên cứu này, chúng tôi đã chế tạo dây nano oxit indium đơn tinh thể (NW) trên điện cực cài răng lược Plalin bằng phương pháp CVD. Phân tích hình thái và cấu trúc của các dây nano IN₂O₃ (NWs) bằng kính hiển vi điện tử quét (SEM) và nhiễu xạ tia X (XRD) cho thấy rằng các dây nano IN₂O₃ là đơn tinh thể và có đường kính khoảng 100- 200nm. Tính chất nhạy khí của cảm biến dây nano IN₂O₃ đối với NO₂ đã được tiến hành đo trong khoảng nhiệt độ từ 250 đến 450°C.vi_VN
dc.language.isovivi_VN
dc.relation.ispartofseriesTạp chí Khoa học Công nghệ Thông tin và Truyền thông;Số 04B (CS.01) .- Tr.75-79-
dc.subjectCảm biến khívi_VN
dc.subjectCấu trúc dây nanovi_VN
dc.subjectDây nanovi_VN
dc.subjectIN₂O₃vi_VN
dc.subjectChế tạo dây nanovi_VN
dc.subjectPhương pháp CVDvi_VN
dc.titleChé tạo cảm biến khí cấu trúc dây nano IN₂O₃ trên điện cực bằng phương pháp CVDvi_VN
dc.typeArticlevi_VN
Bộ sưu tập: Khoa học Công nghệ Thông tin và Truyền thông

Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin Mô tả Kích thước Định dạng  
_file_
  Giới hạn truy cập
1.43 MBAdobe PDF
Your IP: 18.221.124.95


Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.