Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/4990
Nhan đề: Electron distribution in polar heterojunctions within a realistic model
Tác giả: Nguyễn, Thành Tiên
Dinh, Nhu Thao
Doan, Nhat Quang
Phạm, Thị Bích Thảo
Từ khoá: Hetero-junction
Polar semiconductor
Electron distribution
Interface polarization charge
Finite potential barrier
Modulation doping
Năm xuất bản: 2015
Tùng thư/Số báo cáo: Physica B;479 .- p.62-66
Tóm tắt: We present a theoretical study of the electron distribution, i.e., two-dimensional electron gas (2DEG) in polar heterojunctions (HJs) within a realistic model. The 2DEG is confined along the growth direction by a triangular quantum well with afinite potential barrier and a bent bandfigured by all confinement sources. Therein, interface polarization charges take a double role: they induce a confining potential and, furthermore, they can make some change in other confinements, e.g., in the Hartree potential from ionized impurities and 2DEG. Confinement by positive interface polarization charges is necessary for the ground state of 2DEG existing at a high sheet density. The 2DEG bulk density is found to be increased in the barrier, so that the scattering occurring in this layer (from interface polarization charges and alloy disorder) becomes paramount in a polar modulation-doped HJ.
Định danh: http://localhost:8080//jspui/handle/123456789/4990
Bộ sưu tập: Tạp chí quốc tế

Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin Mô tả Kích thước Định dạng  
_file_408.84 kBAdobe PDFXem
Your IP: 3.133.137.53


Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.