Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/4990
Nhan đề: | Electron distribution in polar heterojunctions within a realistic model |
Tác giả: | Nguyễn, Thành Tiên Dinh, Nhu Thao Doan, Nhat Quang Phạm, Thị Bích Thảo |
Từ khoá: | Hetero-junction Polar semiconductor Electron distribution Interface polarization charge Finite potential barrier Modulation doping |
Năm xuất bản: | 2015 |
Tùng thư/Số báo cáo: | Physica B;479 .- p.62-66 |
Tóm tắt: | We present a theoretical study of the electron distribution, i.e., two-dimensional electron gas (2DEG) in polar heterojunctions (HJs) within a realistic model. The 2DEG is confined along the growth direction by a triangular quantum well with afinite potential barrier and a bent bandfigured by all confinement sources. Therein, interface polarization charges take a double role: they induce a confining potential and, furthermore, they can make some change in other confinements, e.g., in the Hartree potential from ionized impurities and 2DEG. Confinement by positive interface polarization charges is necessary for the ground state of 2DEG existing at a high sheet density. The 2DEG bulk density is found to be increased in the barrier, so that the scattering occurring in this layer (from interface polarization charges and alloy disorder) becomes paramount in a polar modulation-doped HJ. |
Định danh: | http://localhost:8080//jspui/handle/123456789/4990 |
Bộ sưu tập: | Tạp chí quốc tế |
Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | |
---|---|---|---|---|
_file_ | 408.84 kB | Adobe PDF | Xem | |
Your IP: 3.133.137.53 |
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.