So sánh ảnh hưởng của điện trường lên cấu trúc graphene biên armchair: đơn lớp, AA stacking và AB stacking nanoribbons

Abstract

nghiên cứu tính chất điện tử và cấu trúc vùng năng lượng của họ graphne nanoribbons biên armchair dưới tác dụng của điện trường vuông góc và song song dựa trên phương pháp gần đúng liên kết mạnh. Kết quả nghiên cứu cho thấy, dưới tác dụng của điện trường vuông góc, graphene hai lớp có những biến đổi mạnh mẽ, đặc biệt là sự thay đổi vùng cấm linh hoạt của AB – stacking; trong khi đó, cấu trúc vùng của đơn lớp không thay đổi. Dưới tác dụng của điện trường song song, graphene đơn lớp và AA – stacking có những thay đổi tương đồng trong cấu trúc vùng năng lượng. Mặt khác, AB – stacking lại có những biến đổi đáng kể hơn so với hai loại vật liệu graphene. Tuy nhiên, điện trường vuông góc có ảnh hưởng đáng kể hơn lên cấu trúc của ba loại graphene biên armchair so với điện trường song song.