Nghiên cứu hiệu ứng thể tích và hiệu ứng cản xạ của bề dày lớp Lithium khuếch tán trong đầu dò HPGe loại p

Abstract

Đầu dò germanium siêu tinh khiết (HPGe), giống như một diode có cấu trúc gồm 3 vùng p. I và N làm việc ở chế độ phân cực nghịch, trong đó vùng I nhạy với các bức xạ ion hóa, đặc biệt là tia gamma và tia X. Trong quá trình hoạt động các nguyên tử lithium của lớp n⁺ (lớp lithium khuếch tán n⁺ vùng P) tiếp tục khuếch tán vào sâu bên trong tinh thể làm cho bề dày của lớp này tăng lên đáng kể, do đó, làm giảm hiệu suất ghi của đầu dò.