Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/79276
Toàn bộ biểu ghi siêu dữ liệu
Trường DCGiá trị Ngôn ngữ
dc.contributor.advisorVũ, Thanh Trà-
dc.contributor.authorNguyễn, Viết Thuận-
dc.date.accessioned2022-08-04T08:41:31Z-
dc.date.available2022-08-04T08:41:31Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.otherB1800196-
dc.identifier.urihttps://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/79276-
dc.description75 tr.vi_VN
dc.description.abstract-Nghiên cứu cơ sở lý thuyết của graphene, các sai hỏng cơ bản trong chất rắn, phương pháp gần đúng liên kết mạnh (Tight Binding Approximation) và tính toán mật độ điện tử (DOS) bằng phương pháp hàm Green. -Xây dựng mô hình Hamiltonian bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh (Tight Binding Approximation) để tính toán cấu trúc vùng năng lượng của zigzag graphene nanoribbons đơn lớp cho cả mô hình hoàn hảo và mô hình sai hỏng hai nguyên tử. -Nghiên cứu ảnh hưởng của sai hỏng hai nguyên tử lên cấu trúc vùng năng lượng và sự phân bố điện tử trên zigzag graphene nanoribbons đơn lớp.vi_VN
dc.language.isovivi_VN
dc.publisherTrường Đại học Cần Thơvi_VN
dc.subjectSư phạm Vật lývi_VN
dc.titleNghiên cứu ảnh hưởng của sai hỏng lên cấu trúc vùng năng lượng và sự phân bố của điện tử trên zigzag graphene đơn lớp nanoribbonsvi_VN
dc.typeThesisvi_VN
Bộ sưu tập: Khoa Sư phạm

Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin Mô tả Kích thước Định dạng  
_file_
  Giới hạn truy cập
5.48 MBAdobe PDF
Your IP: 216.73.216.2


Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.