Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/79289
Nhan đề: Nghiên cứu ảnh hưởng của sai hỏng lên cấu trúc vùng năng lượng và sự phân bố của điện tử trên Graphene Nanoribbons biên Armchair
Tác giả: Vũ, Thanh Trà
Phạm, Ngọc Duy
Từ khoá: Sư phạm Vật lý
Năm xuất bản: 2022
Nhà xuất bản: Trường Đại học Cần Thơ
Tóm tắt: Đề tài luận văn “Nghiên cứu ảnh hưởng của sai hỏng lên cấu trúc vùng năng lượng và sự phân bố của điện tử trên Armchair Graphene Nanoribbons đơn lớp” thuộc nhóm chuyên môn vật lý lý thuyết do tôi thực hiện bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh (Tight Binding) trong năm học 2021-2022 dưới sự hướng dẫn của PGs.TS. Vũ Thanh Trà. Kết quả đề tài cho thấy ảnh hưởng của sai hỏng về vị trí và số lượng lên cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu graphene. Các kết quả được trình bày trong luận văn mang lại tiềm năng ứng dụng để cải thiện khả năng ứng dụng của vật liệu graphene biên armchair lên các linh kiện điện tử, quang điện tử.
Mô tả: 57 tr.
Định danh: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/79289
Bộ sưu tập: Khoa Sư phạm

Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin Mô tả Kích thước Định dạng  
_file_
  Giới hạn truy cập
3.38 MBAdobe PDF
Your IP: 3.16.217.187


Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.