Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/79290
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorHuỳnh, Anh Huy-
dc.contributor.authorLê, Thị Diễm Huỳnh-
dc.date.accessioned2022-08-04T08:56:13Z-
dc.date.available2022-08-04T08:56:13Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.otherB1800240-
dc.identifier.urihttps://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/79290-
dc.description52 tr.vi_VN
dc.description.abstractTên đề tài “So sánh tính chất điện tử giữa các mẫu nanoribbons dạng ngũ giác bằng việc phân tích cấu trúc vùng năng lượng” thuộc nhóm Vật lý lý thuyết, dùng phương pháp mô phỏng DFT để xây dựng mô hình và khảo sát tính chất điện tử bằng phần mềm CASTEP. Thời gian thực hiện đề tài từ 03/01/2022 đến 06/05/2022 duới sự huớng dẫn của TS. Huỳnh Anh Huy. Kết quả đề tài cho thấy, PG-SS, p-SiC2-SS, p-P2C-SS đều là bán dẫn có độ rộng vùng cấm phù hợp để chế tạo một số linh kiện điện tử, dưới sự ảnh hưởng của thế tương tác Van der Waals thì có vẻ như vai trò của từng loại nguyên tử lai hóa là như nhau khi xét sự ảnh hưởng của chúng lên độ rộng khe năng lượng. Bên cạnh đó, có thể thấy tương tác Van der Waals có ảnh hưởng mạnh đến tính chất điện tử của cấu trúc gốc PG-SS hơn so với mẫu lai hóa p-SiC2-SS.vi_VN
dc.language.isovivi_VN
dc.publisherTrường Đại học Cần Thơvi_VN
dc.subjectSư phạm Vật lývi_VN
dc.titleSo sánh tính chất điện tử giữa các mẫu nanoribbon dạng ngũ giác bằng việc phân tích cấu trúc vùng năng lượngvi_VN
dc.typeThesisvi_VN
Appears in Collections:Khoa Sư phạm

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
_file_
  Restricted Access
3.69 MBAdobe PDF
Your IP: 18.117.184.125


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.