Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/79291
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorTrần, Yến Mi-
dc.contributor.authorHuỳnh, Mỹ Linh-
dc.date.accessioned2022-08-04T08:59:39Z-
dc.date.available2022-08-04T08:59:39Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.otherB1800242-
dc.identifier.urihttps://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/79291-
dc.description57 tr.vi_VN
dc.description.abstractNghiên cứu tính chất điện tử của penta-graphene nanoribbon dạng biên răng cưa lai hóa lần lượt silic (Si) và phosphor (P) vào nguyên tử lai hóa sp3 và nguyên tử lai hóa sp2 để tạo thành p-SiC2-SS và p-P2C-SS. Cụ thể, sử dụng đồ thị mật độ trạng thái của các mẫu được vẽ bằng phần mềm Origin Pro 8.5.1 để thấy được sự ảnh hưởng của các trạng thái lai hóa lên mẫu. Kết quả cho thấy tính chất điện tử của các mẫu nanoribbon dạng biên răng cưa có lai hóa sp2 và sp3 thì nguyên tử lai hóa sp2 đóng vai trò quan trọng. Hơn nữa, p-P2C-SS là vật liệu có tính chất điện tử dễ bị ảnh hưởng hơn PG-SS và p-SiC2-SSvi_VN
dc.language.isovivi_VN
dc.publisherTrường Đại học Cần Thơvi_VN
dc.subjectSư phạm Vật lývi_VN
dc.titleso sánh tính chất điện tử giữa các mẫu nanoribbon dạng ngũ giác bằng việc phân tích sự phân bố mật độ trạng tháivi_VN
dc.typeThesisvi_VN
Appears in Collections:Khoa Sư phạm

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
_file_
  Restricted Access
2.63 MBAdobe PDF
Your IP: 3.135.208.76


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.