Ảnh hưởng của nhiệt độ ủ lên, cấu trúc, hình thái tính chất điện – quang của màng mỏng SnO2:F

Abstract

Chúng ta đang ở trong thời đại công nghệ 4.0, với những thành tụ khoa học vượt bật, thiết bị điện tử ngày càng mỏng nhẹ và gọn gàng hơn. Để mà đáp ứng được các yêu cầu trên thì công nghệ màng mỏng ngày càng phát triển với những nghiên cứu và thành công một cách vượt bật. Với những lý do đó, tôi lựa chọn đề tài “Ảnh hưởng của nhiệt độ ủ lên, cấu trúc, hình thái tính chất điện – quang của màng mỏng SnO2:F ” làm luận văn tốt nghiệp. Mục đích nghiên cứu: chế tạo màng mỏng FTO với chi phí thấp, hiệu quả cao, sau đó khảo sát các tính chất điện – quang của màng chế tạo được F/Sn = 0.6 và ủ nhiệt ở 350°C, 425°C, 500°C, 575°C và ghi nhận và so sánh với các nghiên cứu trước đó. Phương pháp nghiên cứu: sử dụng phương pháp nhiệt phân phun phủ hỗ trợ siêu âm (USP), là 1 phương pháp đơn giản, tiết kiệm chi phí nhưng đem lại hiệu quả chế tạo màng mỏng tốt được sử dụng trong nghiên cứu này. Kết quả: màng FTO được chế tạo thành công và cho thấy màng FTO được ủ nhiệt ở nhiệt độ tối ưu nhất là 425°C và 500°C trong 2h đạt điện suất rất thấp 4.4 ×10-4 Ω.cm và 4.5 ×10-4 Ω.cm, đồng thời đạt độ truyền quang trung bình trong vùng ánh sáng khả kiến lên đến trên 91%.