Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/93145
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Đặng, Văn Trường | - |
dc.contributor.author | Phạm, Văn Liệu | - |
dc.date.accessioned | 2023-11-01T03:33:48Z | - |
dc.date.available | 2023-11-01T03:33:48Z | - |
dc.date.issued | 2022 | - |
dc.identifier.issn | 2615-9910 | - |
dc.identifier.uri | https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/93145 | - |
dc.description.abstract | Trong kỹ thuật phún xạ, áp suất khí là một trong những thông số quan trọng. Nó ảnh hưởng tới tốc độ bóc tách vật liệu đế cũng như tốc độ lắng đọng lớp phủ. Nội dụng bài báo khảo sát sự ảnh hưởng của áp suất đến tốc độ lắng đọng của lớp phủ CrN trên nền thép SKD6 bằng phương pháp phún xạ xung một chiều có từ trường (Pulsed DC magnetron), có sử dụng phân mềm EZ v4.12 tích hợp trên kính hiển vi quang học Leica DM750M để xác định chiều dày lớp phủ. Kết quả nghiên cứu cho thấy khi áp suất tăng, tốc độ lắng đọng của lớp phủ cũng có xu hướng tăng và đạt giá trị lớn nhất là 0,042μm/phút) trong miền áp suất khoảng 9.10⁻³ mBar: Tuy nhiên, khi áp suất tiếp tục tăng, tốc độ tăng đọng lại có xu hướng giảm. | vi_VN |
dc.language.iso | vi | vi_VN |
dc.relation.ispartofseries | Tạp chí Cơ khí Việt Nam;Số 295 .- Tr.106-111 | - |
dc.subject | Phún xạ xung một chiều | vi_VN |
dc.subject | Lớp phủ CrN | vi_VN |
dc.subject | Thép SKD6 | vi_VN |
dc.subject | Áp suất phún xạ | vi_VN |
dc.subject | Tỷ lệ lắng đọng | vi_VN |
dc.title | Nghiên cứu ảnh hưởng của áp suất phún xạ tới tốc độ lắng đọng của lớp phủ CrN trên nền thép SKD6 = Researching the effect of spring pressure on the luxury speed of CrN coating on SKD6 steel background | vi_VN |
dc.type | Article | vi_VN |
Appears in Collections: | Cơ khí Việt Nam |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
_file_ Restricted Access | 2.58 MB | Adobe PDF | ||
Your IP: 3.144.30.14 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.