Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng và tính chất điện tử của Buckling Silicence Nanoribbons theo biên zigzag

Abstract

sử dụng mô hình liên kết mạnh để khảo sát cấu trúc vùng và tính chất điện tử của zigzag buckling silicene nanoribbons (ZBSiNRs). Ngoài ra, điện trường ngoài cũng được thêm vào Hamilton để khảo sát ảnh hưởng của điện trường vuông góc và điện trường song song lên cấu trúc của BSiNRs. Đầu tiên, tôi nhận thấy rằng BSiNRs có một độ rộng vùng cấm nhỏ và nó phụ thuộc vào khoảng cách buckling giữa hai lớp nguyên tử. Thứ hai, bằng cách so sánh tác động của hai điện trường, tôi đã chỉ ra rằng điện trường vuông góc có tác dụng mở rộng vùng cấm nhiều hơn so với điện trường song song. Độ mở vùng cấm tỷ lệ với cường độ của điện thế vuông góc. Không giống như điện trường vuông góc, độ rộng vùng cấm trong điện trường song song sẽ giảm nếu cường độ của điện trường vượt quá giá trị tới hạn. Trong điện trường vuông góc, BSiNRs bị tác động mạnh hơn so với flat silicene nanoribbons (FSiNR) và graphene nanoribbons (GNR). Đặc biệt, khi tôi khảo sát đồng thời cả hai điện trường, tôi nhận thấy rằng chúng có tác động lẫn nhau đến độ rộng cùng cấm của BSiNRs, nhưng điện trường vuông góc thì tác động mạnh hơn so với điện trường song song. Những kết quả này rất quan trọng để hiểu toàn diện hơn về tác động của điện trường lên BSiNRs.