Nghiên cứu hiệu ứng thể tích và hiệu ứng cản xạ của bề dày lớp Lithium khuếch tán trong đầu dò HPGe loại p

Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/71177

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Võ, Xuân Ân	-
dc.date.accessioned	2021-12-22T09:19:29Z	-
dc.date.available	2021-12-22T09:19:29Z	-
dc.date.issued	2020	-
dc.identifier.issn	2525-2267	-
dc.identifier.uri	https://dspace.ctu.edu.vn/jspui/handle/123456789/71177	-
dc.description.abstract	Đầu dò germanium siêu tinh khiết (HPGe), giống như một diode có cấu trúc gồm 3 vùng p. I và N làm việc ở chế độ phân cực nghịch, trong đó vùng I nhạy với các bức xạ ion hóa, đặc biệt là tia gamma và tia X. Trong quá trình hoạt động các nguyên tử lithium của lớp n⁺ (lớp lithium khuếch tán n⁺ vùng P) tiếp tục khuếch tán vào sâu bên trong tinh thể làm cho bề dày của lớp này tăng lên đáng kể, do đó, làm giảm hiệu suất ghi của đầu dò.	vi_VN
dc.language.iso	vi	vi_VN
dc.relation.ispartofseries	Tạp chí Khoa học và Công nghệ Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh;Số 43A - Tr.54-61	-
dc.subject	Hiệu ứng thể tích	vi_VN
dc.subject	Hiệu ứng cản xạ	vi_VN
dc.subject	Đầu dò	vi_VN
dc.subject	Lớp lithium khuếch tán	vi_VN
dc.subject	Hiệu suất	vi_VN
dc.subject	MCNP5	vi_VN
dc.title	Nghiên cứu hiệu ứng thể tích và hiệu ứng cản xạ của bề dày lớp Lithium khuếch tán trong đầu dò HPGe loại p	vi_VN
dc.type	Article	vi_VN
Appears in Collections:	Khoa học và Công nghệ Trường Đại học Công nghiệp Thành phố Hồ Chí Minh

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
_file_ Restricted Access		2.09 MB	Adobe PDF
Your IP: 3.133.87.156

LRC Digital repo